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一氧化镓

简介
能与酒石酸络合。加热170℃以上生成羟基氧化镓Ga(OH)。400℃以上完全脱水,生成三氧化二镓。可由镓(III)盐溶液与氨水反应,控制PH值为3.2时能得到氢氧化镓沉淀,再经干燥制得。用于制备金属镓及各种镓盐。
外观呈白色结晶粉末,不溶于水和稀硫酸溶液与碱金属氧化物在高温下反应可以生成镓盐,其熔点为1740℃。本品用作镓--石榴石(GGG)的原料。
制备
镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备方法,属于光电子信息功能材料技术领域。在ZnO薄膜中进行镓掺杂,用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下,在有机聚合物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的ZnO∶Ga透明导电膜,溅射用陶瓷靶组分为氧化锌和三氧化二镓,工艺条件为:氩气分压0.5-5Pa,溅射功率50-200W,溅射偏压0~-100V。制得薄膜的载流子浓度为1.2×1021cm-3,迁移率为13.5cm2V-1S-1,电阻率为4.6×10-4Ωcm,方块电阻6.2Ω/□,可见光范围的透过率超过83%。扣除有机材料衬底的影响,在可见光范围内薄膜的平均透过率可以达到90%,性能优于ZnO∶Al薄膜,因此在有机平板显示和有机光电子器件等领域可以替代现有的透明导电膜材料。
参考资料
http://www.sdly.com/html/product_165.html

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  • 创建时间: 2010-07-30 02:26:00
  • 更新时间: 2010-07-30 02:26:00

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